Optočlen Darlington OR-4NXX_OR-TIL113(Darlington)-EN-V3

Zariadenia zo série TIL113, 4NXX, každé pozostáva z infračervenej emitujúcej diódy opticky pripojenej k Darlingtonovmu detektoru. Sú zabalené v 6-pinovom DIP puzdre a sú dostupné v širokom rozstupe a možnosti SMD.

Popis produktu

Darlington optočlen

 Optočlen Darlington OR-4NXX_OR-TIL113(Darlington)-EN-V3
{011740351} {261730306} Vlastnosti }

(1)  séria 4NXX  :  4N29,  4N30,  4N31, {31365533136553séria6558} TIL113  :  TIL113.

(2)  Vysoké  izolačné  napätie  medzi  vstup  a  výstup  (Viso=5000  V  rms)

(3)  Creopage  vzdialenosť  >7,62  mm {490} }

(4)  Prevádzková  teplota  až  až  +115°C {49098021}

(5) Kompaktný  dvojradový  balík

(6)  Bezpečnostné  schválenie

Schválené UL (č. E323844)  

Schválené VDE (č. 40029733)

Schválené CQC  (č. CQC19001231480  )

(7)  V súlade s   s  RoHS,  normy REACH  .

(8)  MSL  Trieda Ⅰ

 

Pokyny

Detekčné diódy TIL113, 4NXX, z ktorých každé pozostáva z infračerveného a optického vysielacieho zariadenia. 6-kolíkový DIP balík a je k dispozícii v širokom rozstupe a SMD variante.

Rozsah aplikácií

  1. Nízkoenergetické logické obvody

  2. Telekomunikačné zariadenia

  3. Prenosná elektronika

  4. Prepojovacie systémy rôznych potenciálov a impedancií

{101}

 

Maximálna absolútna menovitá hodnota (normálna teplota=25℃)

{101}

Parameter

Symbol

Menovitá hodnota

Jednotka

Vstup

Preposlať aktuálny

AK

60

mA

Teplota spoja

TJ

125

Spätné napätie

VR

6

V

{101}

Stratový výkon (TA = 25 °C) Faktor zníženia výkonu (nad 100 °C)

{101}

PD

120

mW

3.8

mW/°C

{101}

Výstup

Napätie kolektor-emitor

VCEO

80

{101}

V

Napätie kolektor-základňa

VCBO

80

Napätie emitor-kolektor

VECO

7

Napätie bázy vysielača

VEBO

7

{101}

Stratový výkon (TA = 25 °C) Faktor zníženia výkonu (nad 100 °C)

{101}

PC

150

mW

6.5

mW/°C

Celková spotreba energie

Ptot

200

mW

*1 Izolačné napätie

Viso

5 000

Vrms

Pracovná teplota

Topr

-55 až + 115

{101}

Teplota vkladu

TSTG

-55 až + 150

*2 Teplota spájkovania

TSOL

260

*1. Test AC, 1 minúta, vlhkosť = 40~60 % Metóda testu izolácie, ako je uvedené nižšie:

    1. Skratujte obe svorky fotospojky.

    2. Prúd pri testovaní izolačného napätia.

    3. Pridanie sínusového napätia pri testovaní

    {101}

*2. čas spájkovania je 10 sekúnd.

Optoelektronické charakteristiky

{101}
{101}

Parameter

Symbol

Min.

Typ.*

Max.

Jednotka

Stav

{101}

Vstup

Dopredné napätie

VF

---

1.2

1,5

V

IF=10mA

Obrátený prúd

IR

---

---

10

μA

VR=6V

Kapacita kolektora

Cin

---

50

---

pF

V=0, f=1 MHz

Výstup

Kolektor-základňa tmavý prúd

ICBO

---

---

20

nA

VCB=10V

Prúd od kolektora k emitoru

ICEO

---

---

100

nA

VCE=10V, IF=0mA

Útlmové napätie kolektor-emitor

BVCEO

55

---

---

V

IC=1 mA

Napätie pri poruche kolektor-základňa

BVCBO

55

---

---

V

IC=0,1 mA

Útlmové napätie emitor-kolektor

BVECO

7

---

---

V

IE=0,1 mA

{101}

TransformingCharacteristic s

{101}

Aktuálny prevodný pomer

4N32,4N33

{101}

CTR

500

---

---

{101}

%

{101}

IF=10mA VCE=10V

4N29,4N30

100

---

---

4N31

50

---

---

TIL113

300

---

---

IF=10mAVCE=1V

{101}

Saturačné napätie kolektora a emitora

4N29, 4N30, 4N32,4N33

{101}

VCE(sat)

---

---

1.0

{101}

V

IF=8mA IC=2mA

4N31,TIL113

---

---

1.2

IF=8mA, IC=2mA

Izolačný odpor

Riso

1011

---

---

Ω

DC500V 40~60% R.H.

Vstupno-výstupná kapacita

CIO

---

0,8

---

pF

VIO=0, f=1MHz

Čas odozvy

tr

---

3

10

μs

{101}

VCC=10V, IC=10mARL=100Ω

Čas zostupu

tf

---

6

10

μs

  • Aktuálny konverzný pomer = IC / IF × 100 %

 

Informácie o objednávke

Číslo dielu {01173751} 011737351} 01173751} 01173751} 01173551} 0161W355Z {0117351„0,4N31,4N32alebo4N33)

TIL113= Číslo dielu

Y = Formulár pre potenciálneho zákazníka (091 alebo č. 111S, M15) možnosť 0117351} Z = Možnosť pásky a cievky (TA,TA1 alebo žiadna).

W= „V“ kód pre bezpečnosť VDE (Táto možnosť nie je potrebná).

*Kód VDE je možné zvoliť.

{101}

Možnosť

Popis

Množstvo v balení

Žiadne

Štandardné DIP-6

66 jednotiek na skúmavku

M

Široký ohyb olova (rozstup 0,4 palca)

66 jednotiek na skúmavku

S(TA)

Forma elektródy na povrchovú montáž (nízky profil) + možnosť TA pásky a cievky

1 000 jednotiek na kotúč

S(TA1)

Forma elektródy na povrchovú montáž (nízky profil) + možnosť pásky a cievky TA1

1 000 jednotiek na kotúč

 

Čip GaAIAs/GaAs 940 IrED

POSLAŤ DOPYT